車規級全碳化硅功率模塊
產品詳情

BMB200120P1是基本半導體為新能源汽車主逆變器應用推出的車規級全碳化硅功率模塊。該模塊采用業內主流的單面水冷散熱形式,為高效電機控制器設計提供便利。

單模塊采用半橋拓撲形式,內部集成兩單元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅續流二極管。單模塊200A的輸出電流能力可有效減少逆變器中功率器件數量,降低系統設計難度,同時提升系統可靠性。工程師可以根據設計要求選擇是否并聯使用或需要并聯使用的數量,為設計選型提供更多靈活選擇的空間。

BMB200120P1采用基本半導體最新的碳化硅MOSFET設計生產工藝,在柵極電輸入電容、內部寄生電感、熱阻等多項參數上達到業內領先水平。


產品特點


icon1.pngicon2.pngicon3.pngicon4.png

高輸出電流能力

低柵極輸入電容

低寄生電感

低熱阻



388959423924608812.png

工藝制造服務
碳化硅功率器件
技術介紹
新聞動態
關于我們
深圳市南山區留學生創業大廈二期22樓
0755-22670439 [email protected]

關注微信公眾號
深圳基本半導體有限公司
今日股评大盘分析 炒股最惨者真实的故事2018 宁夏十一选五前三直 黑龙江体彩十分走势图 重庆时时彩包胆 山西快乐10分前三图 十一选五走势图 湖北11选五前三走势图 体彩481玩法说明 福建11选五开奖规律