國產芯片真金質!基本半導體挑戰極限高溫測試“火”力全開

發表時間:2019-08-14 11:15

挑戰驕陽火焰山,何須芭蕉借又還。

國產芯片真金質,不懼火煉過樓蘭。

——鄭廣州

國創中心副總經理


8月14日,國家新能源汽車技術創新中心(簡稱“國創中心”)邀請基本半導體等13家國內整車和半導體企業的專家,實地開展“中國車規半導體首批測試驗證項目吐魯番高溫試驗”活動,并舉行了車規半導體測試驗證項目高溫測試技術研討會。


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自2019年7月底開始,國創中心攜搭載了國產自主硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的4輛試驗車,在吐魯番進行為期一個月的“極限高溫”測試項目,這也是國產車規半導體搭載驗證的試驗項目之一。


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單車累計6000公里的高溫試驗,以驗證在高溫真實車況下,國產自主車規半導體的性能和可靠性表現。通過反復驗證國產車規半導體在各種極端情況下的質量狀況和適應能力,并通過對標試驗,與國外競品進行全項目對比分析,發現問題并實施改進措施,為最終助推國產自主車規半導體上車應用達成最高的安全保障。在測試同期舉辦的研討會上,與會專家對此次車規半導體測試驗證項目給予高度評價,共同探討半導體行業和汽車行業的產業合作模式。


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為了推動我國汽車產業可持續高質量發展,保障我國建設世界汽車強國目標的盡早實現,培育和提升國產自主車規半導體企業的技術研發和質量控制能力,助推國產自主車規半導體上車應用,國創中心秉承國家戰略要求,整合行業資源,聯合半導體行業的合作伙伴和汽車行業的專家共同開展“國產自主車規半導體測試認證”項目。下一步,國創中心還將開展國產自主車規半導體器件的試驗室測試、對標測試及整車搭載的高寒測試。


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在此次測試中,試驗車搭載了基本半導體自主研發的碳化硅功率器件。基本半導體作為中國第三代半導體行業領軍企業、深圳第三代半導體研究院發起單位之一,旗下碳化硅器件產業鏈覆蓋了外延制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等環節。基本半導體先后推出650V/4A~40A、1200V/5A~50A、1700V/5A~20A的全電流電壓等級碳化硅二極管,通過工業級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET,以及車規級全碳化硅功率模塊等系列產品,性能對標國際一流半導體廠商的最新產品。


其中,高性能1200V 碳化硅MOSFET采用了平面柵碳化硅工藝,具有短路耐受時間長、雪崩耐量高、反向擊穿電壓高和導通電阻低等特點,已小批量生產并廣泛應用在電機驅動器、開關電源、光伏逆變器和車載充電等領域;用于電動汽車逆變器、對標特斯拉Model 3所采用器件的車規級全碳化硅MOSFET模塊已完成工程樣品開發,將聯合國內主流車廠開展測試。同時,基本半導體年內還與廣州廣電計量檢測股份有限公司達成戰略合作,加快推出首款符合AEC-Q101檢測標準的碳化硅肖特基二極管。


未來,基本半導體將繼續打造高質量的國產車規級碳化硅功率器件,積極參與國內車規半導體標準體系和測試認證體系的建設,致力實現車規半導體的自主可控、國產替代。


本文整理自:國家新能源汽車技術創新中心


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