SiC外延技術

SiC外延技術

副標題

      基本半導體提供完整的設計和工藝方案,獨有的碳化硅外延技術,能夠充分利用碳化硅的材料潛力,實現更高功率和更低損耗。通過掩埋摻雜柵極,在保持碳化硅高電壓性能的同時減低器件表面電場,極大的提高器件的可靠性。基本半導體碳化硅外延技術與普通的碳化硅器件設計方案相比,可以實現更低的肖特基勢壘,和更高遷移率的MOSFET設計,進一步降低損耗30%以上,實現更高效的集成器件。

工藝制造服務
碳化硅功率器件
技術介紹
新聞動態
關于我們
深圳市南山區留學生創業大廈二期22樓
0755-22670439 [email protected]

關注微信公眾號
深圳基本半導體有限公司
怎么买股票新手入门 11选5出号精准规律 重庆欢乐生肖正规么 福建体彩36选7走势图彩之家 江苏11选5第29期预测 股票名称带精密的股票有哪些 11选5定一胆百分之98准 期货配资列入刑法了吗 体彩江西11选5怎么玩 双色球有普通人中奖吗